[发明专利]一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法

摘要

本发明提供一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成。本发明中，组成第一反相器及第二反相器的四个晶体管的栅区两端均呈“L”型弯折，体接触区与体区接触，并包围源区的纵向两端及底部。本发明可以在牺牲较小单元面积的情况下，全面抑制总剂量效应导致的Box漏电、上下边角漏电及侧壁漏电，并且可以保证晶体管源区的有效宽度，不会损失晶体管的驱动能力。并且本发明在有效抑制总剂量效应的同时，还可以抑制晶体管的浮体效应。本发明的制作方法具有制造工艺简单、与常规CMOS工艺相兼容等优点。

主权项

一种基于SOI的单端口SRAM单元，所述基于SOI的单端口SRAM单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成；其中，所述第三NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的位线；所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的反位线；其特征在于：所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管均包括体接触区、栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的源区及位于所述体区横向第二侧的的漏区；其中：所述栅区两端均向其横向第二侧方向延伸，形成“L”型弯折角；所述体接触区与所述体区接触，并包围所述源区的纵向两端及底部；所述体接触区的掺杂类型与所述源区的掺杂类型相反，且掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度。