[发明专利]半导体存储装置、其擦除方法及编程方法有效

专利信息
申请号: 201610454162.1 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN107045889B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 山内一贵 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G11C16/34;G11C29/42
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体存储装置、其擦除方法及编程方法,可使良率提高、从而可使存储器阵列的利用效率提高。半导体存储装置包含:存储器阵列,包含多个NAND串;页面缓冲器/读出电路(170),经由位线而连接于存储器阵列的NAND串,并输出NAND串的不良的有无;以及检测电路(200),连接于多个页面缓冲器/读出电路(170),并检测选择块的NAND串的不良数。当由检测电路(200)检测出的NAND串的不良数为固定数以下时,判定为能够使用的块,当不良数超过固定数时,判定为坏块。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 擦除 方法 编程
【主权项】:
一种半导体存储装置的擦除方法,所述半导体存储装置的擦除方法的特征在于包括以下步骤:对选择块施加擦除脉冲;在所述选择块的擦除校验为不合格、且所述擦除脉冲的施加次数达到预先决定的次数的情况下,检测所述选择块的与非串的不良数;以及当所检测出的所述与非串的不良数为固定数以下时,以能够使用所述选择块的状态结束擦除,当所述不良数超过所述固定数时,将所述选择块作为不能够使用的坏块而进行管理。
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