[发明专利]一种自启动供电电路有效

专利信息
申请号: 201610475882.6 申请日: 2016-06-23
公开(公告)号: CN106055011B 公开(公告)日: 2017-06-23
发明(设计)人: 周泽坤;李天生;曹建文;石跃;徐俊;丁力文;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电源管理技术领域,具体的说涉及一种自启动供电电路。本发明与现有的相关供电模块相比,将传统意义上的误差放大器设计为带隙基准运放,将带隙基准电路和误差放大器结合,一方面在简化了电路的同时依然保证了输出电源的精度及稳定性;另一方面带隙运放的供电电源为自身的供电输出,减少了高压器件的使用,使得电路的成本得到降低;再者,带隙核心部分的偏置电流只需在2~5μA级别,相比于传统意义上的误差放大器的10~40μA级别,极大的降低了电路自身的功耗。通过将带隙运放单元第二级偏置支路采用外部VDD电源轨供电,电路在不需要额外的启动支路的状态能够脱离零状态。
搜索关键词: 一种 启动 供电 电路
【主权项】:
一种自启动供电电路,包括带隙运放单元、偏置单元、保护电路、调整管、第一电阻R1和第二电阻R2;所述带隙运放单元的正向输入端接基准电压,负向输入端接第一电阻R1和第二电阻R2的连接点,带隙运放单元的输出端接调整管的栅极;偏置单元的输入端接电源,输出端接带隙运放单元的电源端;调整管的源极接电源,漏极一次通过第一电阻R1和第二电阻R2后接地;调整管漏极与第一电阻R1的连接点为供电电路的输出端;保护电路的一端接带隙运放单元输出端与调整管栅极的连接点,保护电路的另一端接调整管漏极与第一电阻R1的连接点;所述带隙运放单元用于产生带隙基准电压VREF,与由第一电阻R1和第二电阻R2分压产生的输出反馈电压进行比较,最后将反馈电压箝位在自身产生的带隙基准电压;偏置单元由外部电源VDD供电,产生偏置电流为带隙运放单元的最后一级供电;保护电路设计在带隙运放的输出以及系统整体的输出之间,保护调整管的栅源电压VGS不会超过额定值;第一电阻R1、第二电阻R2以及调整管构成功率输出级;所述带隙运放单元包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第三电阻R3、第四电阻R4和电容;所述第一PMOS管MP1的源极接供电电路的输出端,其栅极接第二PMOS管MP2的漏极;第一NMOS管MN1的漏极接第一PMOS管MP1的漏极,第一NMOS管MN1的栅极和漏极互连,第一NMOS管MN1的源极接地;第二PMOS管MP2的源极接供电电路的输出端,其栅极和漏极互连;第一三极管Q1的集电极接第二PMOS管MP2的漏极,第一三极管Q1的基极接第一电阻R1和第二电阻R2的连接点,第一三极管Q1的发射极依次通过第三电阻R3和第四电阻R4后接地;第三PMOS管MP3的源极接供电电路的输出端,其栅极和漏极互连;第二三极管Q2的集电极接第三PMOS管MP3的漏极,第二三极管Q2的基极接第一电阻R1和第二电阻R2的连接点,第二三极管Q2的发射极通过第四电阻R4后接地;第四PMOS管MP4的源极接供电电路的输出端,其栅极接第三PMOS管MP3的漏极;第二NMOS管MN2的漏接接第四PMOS管MP4的漏极,第二NMOS管MN2的栅极接第一PMOS管MP1的漏极,第二NMOS管MN2的源极接地;第三三极管Q3的基极接第四PMOS管MP4漏极与第二NMOS管MN2漏极的连接点,第三三极管Q3的集电极接第三NMOS管MN3的源极,第三三极管Q3的发射极接地;第三NMOS管MN3的栅极接供电电路的输出端;第三NMOS管MN3的漏极通过电容后接第四PMOS管MP4漏极、第二NMOS管MN2漏极和第三三极管Q3基极连接点;所述偏置单元包括第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第五电阻R5、第六电阻R6和第四三极管Q4;第七PMOS管MP7的源极接电源,其栅极接第八PMOS管MP8的漏极;第五PMOS管MP5的源极接第七PMOS管MP7的漏极,第五PMOS管MP5的栅极接第六PMOS管MP6的漏极,第五PMOS管MP5的漏极接第三NMOS管MN3漏极与电容的连接点;第八PMOS管MP8的源极接电源,其栅极和漏极互连;第六PMOS管MP6的源极接第八PMOS管MP8的漏极,第六PMOS管MP6的栅极和漏极互连;第四NMOS管MN4的漏极接第六PMOS管MP6的漏极,第四NMOS管MN4的栅极通过第六电阻R6后接电源,第四NMOS管MN4的源极通过第五电阻R5后接地;第五NMOS管MN5的漏极通过第六电阻R6后接电源,第五NMOS管MN5的栅极和漏极互连;第四三极管Q4的集电极接第五NMOS管MN5的源极,第四三极管Q4的基极和集电极互连,第四三极管Q4的发射极接地;所述保护电路由依次串联的第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4和第五二极管D5构成;所述第一二极管D1的正极作为保护电路的正极,第五二极管D5的负极作为保护电路的负极;第一二极管D1的正极接第五PMOS管MP5漏极、第三NMOS管MN3漏极和电容的连接点;第五二极管D5的负极接供电电路的输出端。
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