[发明专利]一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 201610500090.X | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107541773A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘悦 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C23C16/52;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 唐丽,马佑平 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备，其中，腔室包括对腔室进行密封的上盖和对上盖进行温度控制的冷却系统，该方法包括判断腔室的当前工艺类型；控制冷却系统，以将上盖的温度保持在对应当前工艺类型的设定温度范围内。本发明腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备可根据控制冷却系统，以稳定上盖的温度在对应工艺的设定温度范围内，进而减少上盖上的硅沉积物，这样，能够提高工艺质量，保证工艺结果及工艺过程中设备的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 控制 方法 装置 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】：
一种腔室温度控制方法，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，其特征在于，包括：判断所述腔室的当前工艺类型；控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。
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