[发明专利]用于形成蜂窝阵列的图案的方法有效
申请号: | 201610506207.5 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106910670B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 潘槿道;金永式;卜喆圭 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/8239 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于形成图案的方法包括在底层上形成椭圆形柱体。椭圆形柱体具有细长的特征,并且包括突出侧以及与突出侧连接的长侧,并且四个椭圆形柱体在分离空间的周围形成菱形阵列。附接至椭圆形柱体的侧面的引导晶格形成为在分离空间内打开第一窗口。通过选择性地去除椭圆形柱体,而在引导晶格内形成第二窗口。嵌段共聚物层形成为填充第一窗口和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离,以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域,以形成第一开口和第二开口。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 蜂窝 阵列 图案 方法 | ||
【主权项】:
一种用于形成图案的方法,所述方法包括:在底层之上形成椭圆形柱体,其中,柱体组合而形成菱形阵列,使得分离空间位于菱形阵列的中心;以大体上共形的方式形成包围柱体的引导晶格,使得在分离空间内限定第一窗口;去除柱体以形成第二窗口;形成填充第一窗口和第二窗口的嵌段共聚物层;将第一窗口内的嵌段共聚物层相分离成第一区域和第一矩阵;将每个第二窗口内的嵌段共聚物层相分离成多个第二区域和第二矩阵;以及去除第一区域和多个第二区域,以分别形成第一开口和多个第二开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造