[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610531691.7 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107591317B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，所述基底包括：逻辑区和存储区；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；形成覆盖所述存储区鳍部侧壁的侧墙；形成所述侧墙之后，对所述隔离结构进行防穿通离子注入；进行防穿通离子注入之后，进行扩散处理；扩散处理之后，去除所述侧墙。其中，所述侧墙在防穿通注入过程中减小侧墙下方隔离结构中注入的防穿通离子浓度，从而减小后续扩散处理过程中，向存储区鳍部顶部扩散的防穿通离子浓度，进而降低防穿通离子对存储区晶体管性能的影响，提高半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，所述基底包括：逻辑区和存储区；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；形成覆盖所述存储区鳍部侧壁的侧墙，包括：在所述鳍部顶部和侧壁表面形成侧墙材料层，去除所述逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层，保留所述存储区鳍部侧壁表面的侧墙材料层；形成所述侧墙之后，对所述隔离结构进行防穿通离子注入；进行防穿通离子注入之后，进行扩散处理；在扩散处理之后，去除所述侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
