[发明专利]测试结构以及测试方法有效
申请号: | 201610531759.1 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN107591339B | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 虞勤琴;李明;谢涛;王莎 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种测试结构以及测试方法,测试结构包括:基底,所述基底包括芯片区域;位于所述基底上的层叠导电结构,所述层叠导电结构包括由下至上的底层导电层、互连层结构以及顶层导电层,其中,所述底层导电层、互连层结构以及顶层导电层顺次连接形成环绕所述芯片区域的链条结构;位于所述顶层导电层上方的若干分立的测试层,每一测试层对应与一个顶层导电层电连接,且所述若干分立的测试层环绕所述芯片区域;位于所述层叠导电结构上以及测试层侧壁上的介质层;位于所述介质层顶部以及测试层顶部的钝化层。本发明提高了定位芯片分层位置的确定性,从而提高测试成功率。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片的测试结构,其特征在于,包括:/n基底,所述基底包括芯片区域,所述基底的芯片区域具有芯片,所述芯片包括:位于芯片底部部分厚度的分层高发区、以及位于所述分层高发区上方的分层低发区;/n位于所述基底上的层叠导电结构,所述层叠导电结构包括由下至上的底层导电层、互连层结构以及顶层导电层,其中,所述底层导电层、互连层结构以及顶层导电层顺次连接形成环绕所述芯片区域的链条结构,所述层叠导电结构顶部与所述分层高发区顶部齐平;/n位于所述顶层导电层上方的分立的测试层,所述分立的测试层对应与顶层导电层电连接,且所述分立的测试层环绕所述芯片区域;/n位于所述层叠导电结构上以及测试层侧壁上的介质层;/n位于所述介质层顶部以及测试层顶部的钝化层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610531759.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种焦炉炉盖工作状态的联合检测方法
- 下一篇:一种蓄热式隔绝烟气热解炉
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造