[发明专利]测试结构以及测试方法有效

专利信息
申请号: 201610531759.1 申请日: 2016-07-07
公开(公告)号: CN107591339B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 虞勤琴;李明;谢涛;王莎 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=<
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种测试结构以及测试方法,测试结构包括:基底,所述基底包括芯片区域;位于所述基底上的层叠导电结构,所述层叠导电结构包括由下至上的底层导电层、互连层结构以及顶层导电层,其中,所述底层导电层、互连层结构以及顶层导电层顺次连接形成环绕所述芯片区域的链条结构;位于所述顶层导电层上方的若干分立的测试层,每一测试层对应与一个顶层导电层电连接,且所述若干分立的测试层环绕所述芯片区域;位于所述层叠导电结构上以及测试层侧壁上的介质层;位于所述介质层顶部以及测试层顶部的钝化层。本发明提高了定位芯片分层位置的确定性,从而提高测试成功率。
搜索关键词: 测试 结构 以及 方法
【主权项】:
1.一种芯片的测试结构,其特征在于,包括:/n基底,所述基底包括芯片区域,所述基底的芯片区域具有芯片,所述芯片包括:位于芯片底部部分厚度的分层高发区、以及位于所述分层高发区上方的分层低发区;/n位于所述基底上的层叠导电结构,所述层叠导电结构包括由下至上的底层导电层、互连层结构以及顶层导电层,其中,所述底层导电层、互连层结构以及顶层导电层顺次连接形成环绕所述芯片区域的链条结构,所述层叠导电结构顶部与所述分层高发区顶部齐平;/n位于所述顶层导电层上方的分立的测试层,所述分立的测试层对应与顶层导电层电连接,且所述分立的测试层环绕所述芯片区域;/n位于所述层叠导电结构上以及测试层侧壁上的介质层;/n位于所述介质层顶部以及测试层顶部的钝化层。/n
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