[发明专利]电连接结构的制备方法和集成电路芯片在审
| 申请号： | 201610536973.6 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN107591335A | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电连接结构的制备方法和集成电路芯片，其中，制备方法包括依次在基板上形成多个载流子区和载流子区上方覆盖的绝缘掩膜结构后，在绝缘掩膜结构中形成接触孔；在接触孔中形成离子掺杂的多晶硅接触块；在离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金属连线，以完成电连接结构的制备。通过本发明的技术方案，降低了因铝硅互溶导致接触不良的可能性，进而降低了集成电路断路的可能性，提升了集成电路的电路连接的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 制备 方法 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种电连接结构的制备方法，其特征在于，包括：依次在基板上形成多个载流子区和所述载流子区上方覆盖的绝缘掩膜结构后，在所述绝缘掩膜结构中形成接触孔；在所述接触孔中形成离子掺杂的多晶硅接触块；在所述离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金属连线，以完成所述电连接结构的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
