[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置在审

专利信息
申请号: 201610559619.5 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN107619019A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 王伟;郑超 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 高伟,冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。所述方法包括提供第一晶圆,在所述第一晶圆中形成有若干对准标记;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合;切割所述第二晶圆,以在所述第二晶圆中形成切割道,并在所述切割道中露出所述若干对准标记。本发明的优点在于(1)通过切割方法将所述对准标记完全暴露,很好的将所述对准标记与切割工艺的集成,避免增加额外的步骤,进一步降低工艺成本。(2)提高了产品的良率。(3)避免了对准偏移的问题。
搜索关键词: 一种 mems 器件 及其 制造 方法 电子 装置
【主权项】:
一种MEMS器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供第一晶圆,在所述第一晶圆中形成有若干对准标记;提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合;切割所述第二晶圆,以在所述第二晶圆中形成切割道,并在所述切割道中露出所述对准标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610559619.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top