[发明专利]静电放电保护电路有效
申请号: | 201610561689.4 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN107622999B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 甘正浩;邵芳 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种静电放电保护电路,所述静电放电保护电路连接在一第一晶圆和一第二晶圆之间,所述第一晶圆包含有硅通孔,所述第二晶圆包含内部芯片电路,包括:阻变存储器、防静电元件以及开关控制单元。本发明通过开关控制单元、防静电元件以及阻变存储器组成的静电放电保护电路能够很好的实现静电放电过程,保护集成电路;而且,在静电放电完成后,通过开关控制单元控制阻变存储器处于高阻态,能够完全将静电放电保护电路与集成电路断开,彻底消除静电放电保护电路的寄生效应,以提高静电保护能力。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种静电放电保护电路,所述静电放电保护电路连接在一第一晶圆和一第二晶圆之间,所述第一晶圆包含有硅通孔,所述第二晶圆包含内部芯片电路,其特征在于,包括:第一单元,所述第一单元包括一第一阻变存储器和一第一防静电元件,所述第一阻变存储器的第一端连接所述第一防静电元件的第一端;第二单元,所述第二单元包括一第二阻变存储器和一第二防静电元件,所述第二阻变存储器的第一端连接所述第二防静电元件的第一端,所述第二防静电元件的第二端接地;开关控制单元,所述开关控制单元的一端连接所述第一单元中第一防静电元件的第二端;所述第一单元中第一阻变存储器的第二端和所述第二单元中第二阻变存储器的第二端均与所述硅通孔和内部芯片电路相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610561689.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电芯装载弹夹
- 下一篇:一种方便取卸的电机橡胶套
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的