[发明专利]一种B掺杂SiC纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201610564364.1 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN106219548B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 陈善亮;高凤梅;王霖;尚明辉;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙)33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SiC纳米线的制备方法，尤其涉及一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，属于材料制备技术领域。一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，所述的制备方法包括如下步骤将有机前驱体进行预处理，然后与B2O3粉末混合均匀；将混合均匀后的物料及柔性衬底一起至于气氛烧结炉中，先从室温加热至1280‑1350℃，再加热至1380‑1480℃，然后冷却至1330‑1380℃，接着冷却至1080‑1150℃，最后随炉冷却至室温，得到B掺杂的SiC纳米线。本发明实现了在柔性碳纤维布衬底上对SiC纳米线进行B掺杂及其密度调控，且制得的SiC纳米线的表面具有大量尖锐的棱边和棱角。另外，本发明的制备方法工艺简单可控，具有很好的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 sic 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种B掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：将有机前驱体先进行热交联固化和球磨粉碎，然后与B2O3粉末混合均匀；将混合均匀后的物料及柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，先从室温加热至1280‑1350℃，再加热至1380‑1480℃，然后冷却至1330‑1380℃，接着冷却至1080‑1150℃，最后随炉冷却至室温，得到B掺杂的SiC纳米线；所述有机前驱体为聚硅氮烷；所述的柔性衬底为碳纤维布，所述的碳纤维布经过如下方法处理：先在纯度为99％的浓度为0.05mol/L的Co(NO3)2的乙醇溶液中浸渍并超声处理8‑10s，取出后自然晾干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610564364.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
