[发明专利]具有低导通电阻的横向功率集成器件有效
| 申请号： | 201610566725.6 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106935647B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 朴柱元;高光植;李相贤 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士系统集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种横向功率集成器件包括：源极区和漏极区，它们设置在半导体层内，并且在第一方向上彼此间隔开；漂移区，具有第二导电性，设置在半导体层内并且包围漏极区；沟道区，在第一方向上布置在源极区与漂移区之间；多个平面绝缘场板，它们设置在漂移区之上，并且在第二方向上彼此间隔开；多个沟槽绝缘场板，它们设置在漂移区内；栅绝缘层，形成在沟道区之上；以及栅电极，形成在栅绝缘层之上。沟槽绝缘场板中的每个在第二方向上设置在平面绝缘场板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通电 横向 功率 集成 器件 | ||
【主权项】：
一种横向功率集成器件，包括：源极区和漏极区，它们设置在半导体层内，并且在第一方向上彼此间隔开，其中，半导体层具有第一导电性，其中，源极区和漏极区中的每个具有第二导电性；漂移区，具有第二导电性，设置在半导体层内，并且包围漏极区；沟道区，在第一方向上布置在源极区与漂移区之间；多个平面绝缘场板，它们设置在漂移区之上，并且在第二方向上彼此间隔开，其中，第二方向与第一方向相交；多个沟槽绝缘场板，它们设置在漂移区内，其中，沟槽绝缘场板中的每个在第二方向上设置在平面绝缘场板之间；栅绝缘层，形成在沟道区之上；以及栅电极，形成在栅绝缘层之上。
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