[发明专利]高产盐屋霉素及其类似物的产生菌、盐屋霉素及其类似物的制法及其用途有效

专利信息
申请号: 201610585513.2 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN107641146B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 刘文;段盼盼 申请(专利权)人: 中国科学院上海有机化学研究所
主分类号: C07K5/117 分类号: C07K5/117;A61K38/07;A61P31/04;A61P31/00;C12N1/20;C12P21/02;A23K20/147;C12R1/465
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 马莉华;陆凤
地址: 200032 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了高产盐屋霉素及其类似物的产生菌、盐屋霉素及其类似物的制法及其用途,具体地,本发明提供了一种新的盐屋霉素类似物以及一种高产盐屋霉素及其类似物的工程菌株。本发明提供的工程菌株中的tsrH基因(硫链丝菌素前体肽基因)被失活或敲除,并且携带产生盐屋霉素及其类似物的表达载体。本发明提供的工程菌株可高产量的生产盐屋霉素及其类似物,具有很高的应用价值。
搜索关键词: 高产 霉素 及其 类似物 产生 制法 用途
【主权项】:
一种盐屋霉素类似物或其药学上可接受的盐,其特征在于,所述盐屋霉素类似物具有式I所示的结构:式中,R1选自下组:H、‑R3‑O‑R4、取代或未取代的C1‑C6烷基、取代或未取代的C2‑C6链烯基、取代或未取代的C2‑C6链炔基、取代或未取代的C1‑C6烷氧基、取代或未取代的C3‑C6环烷基、或其组合;其中,所述取代是指被选自下组的一个或多个取代基取代:卤素、‑NH2、‑OH、‑NO2、或CF3;R3为取代或未取代的C1‑C2亚烷基而R4为H、取代或未取代的C1‑C3烷基;和R2选自下组:H、取代或未取代的C1‑C6烷基、取代或未取代的C2‑C6链烯基、取代或未取代的C2‑C6链炔基、取代或未取代的C1‑C6烷氧基、取代或未取代的C3‑C6环烷基、或其组合;其中,所述取代是指被选自下组的一个或多个取代基取代:卤素、‑NH2、‑OH、‑NO2、或CF3。
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