[发明专利]半导体存储装置有效
申请号: | 201610585515.1 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106898379B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 前嶋洋;细野浩司;安福正;柴田升 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够降低消耗电力的半导体存储装置。实施方式的存储系统包括:第1及第2存储单元;及第1及第2位线,分别连接在第1及第2存储单元。对第1存储单元写入第1数据(A‑level),对第2存储单元写入第2数据(B‑level)。在写入动作的第1组(在图7‑8中为第1‑2次的循环)中,在编程动作时对第1位线施加第1电压(0V),第2位线被设为电气地浮动的状态,在验证动作时,不进行与第2数据(B‑level)相关的验证动作而进行与第1数据(A‑level)相关的验证动作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于包括:第1及第2存储单元,具备电荷储存层;第1位线,连接在所述第1存储单元;及第2位线,连接在所述第2存储单元;数据的写入动作重复编程动作及验证动作的组,通过所述写入动作,对所述第1存储单元写入第1数据,对所述第2存储单元写入与所述第1数据不同的第2数据,在所述写入动作的第1组中,在所述编程动作时,对所述第1位线施加第1电压,所述第2位线被设为电气地浮动的状态,在所述验证动作时,不进行与所述第2数据相关的验证动作而进行与所述第1数据相关的验证动作。
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