[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201610585571.5 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN107086051B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋;柴田升 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34;G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可提升处理能力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感应放大器(SAU)是在对字线(WL)施加第1电压的第1验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第1电压高的第2电压的第2验证操作中，不对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第2电压高的第3电压的第3验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1存储单元，可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压；第1位线，连接于所述第1存储单元；字线，连接于所述第1存储单元的栅极；及第1感应放大器，连接于所述第1位线；在将数据写入至所述第1存储单元的程序操作之后，进行确认所述第1存储单元的阈值电压的验证操作，在对所述字线施加第1电压的第1验证操作中，所述第1感应放大器对所述第1位线施加充电电压，在对所述字线施加比所述第1电压高的第2电压的第2验证操作中，所述第1感应放大器不对所述第1位线施加所述充电电压，在对所述字线施加比所述第2电压高的第3电压的第3验证操作中，所述第1感应放大器对所述第1位线施加所述充电电压。
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