[发明专利]主动矩阵式影像感测装置在审
| 申请号： | 201610587058.X | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658361A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 吴智濠 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种主动矩阵式影像感测装置包括一影像感测基板以及一闪烁体基板。影像感测基板具有多个影像感测像素。闪烁体基板与影像感测基板相对设置，闪烁体基板具有一第一基板、多个导引件、一反射层及一闪烁晶体层，该些导引件设置于第一基板上，并分别由第一基板朝向影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应，反射层设置在该些导引件上，闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 矩阵 影像 装置 | ||
【主权项】：
一种主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，包括：一影像感测基板，具有多个影像感测像素；以及一闪烁体基板，与该影像感测基板相对设置，该闪烁体基板具有：一第一基板；多个导引件，设置于该第一基板上，并分别由该第一基板朝向该影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应；一反射层，设置在该些导引件上；及一闪烁晶体层，设置于该反射层与该影像感测基板之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
