[发明专利]封装上封装构件与制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种封装上封装构件,包含一底部封装以及一堆叠设置在所述底部封装上的顶部封装。底部封装包含一重分布层结构、至少一晶粒,设置在所述重分布层结构上并且被一模塑料包覆、多数个位于所述晶粒中的穿硅通孔(TSVs)、多数个沿着所述晶粒周边设置的穿模通孔(TMVs),以及多数个焊锡凸块或锡球。其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径。顶部封装是通过所述穿硅通孔(TSVs)与所述穿模通孔(TMVs)与所述底部封装电连接。本发明还公开一种制作半导体器件的方法。

主权项

一种封装上封装构件,其特征在于，包含:一底部封装,包含有:一重分布层结构,具有一第一面及相对所述第一面的一第二面；至少一晶粒,设置在所述第一面上；一模塑料,设置在所述第一面并且包覆所述晶粒；多数个穿硅通孔,位于所述晶粒中；多数个穿模通孔,设置在一周边区域且贯穿所述第一面上的所述模塑料,其中各所述穿模通孔的孔径大于各所述穿硅通孔的孔径；以及多数个焊锡凸块或锡球,设置在所述第二面上；以及一顶部封装,堆叠设置在所述底部封装上,并且通过所述穿硅通孔与所述穿模通孔与所述底部封装电连接。