[发明专利]一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法

摘要

本发明提供了一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，包括以下步骤将去除表面损伤层后的硅片浸入腐蚀液中反应制得黑硅；所述腐蚀液为含金属离子的浓氢氟酸、氧化剂和高分子聚合物的混合水溶液；将黑硅浸入表面处理腐蚀液中进行表面优化处理，即得亚微米结构的均匀绒面的硅片；其中，所述表面处理腐蚀液为含添加剂的混合酸水溶液。本发明提供的湿法黑硅制备方法工艺简单、成本低廉，经腐蚀处理的黑硅绒面表面均匀且无尖锐边界、反射率在7‑15％，该方法大大提高了硅电池对光的吸收效率，利用该方法制得的黑硅制得的太阳能电池具有较低的电池漏电率、稳定的开路电压、较高的转换效率。

主权项

一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将去除表面损伤层后的硅片浸入腐蚀液中反应制得黑硅；所述腐蚀液为含金属离子的浓氢氟酸、氧化剂和高分子聚合物的混合水溶液；所述高分子聚合物为聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚D，L‑乳酸中的一种或几种的组合；所述高分子聚合物的分子量为5000‑20000；腐蚀液中，所述高分子聚合物的浓度为5‑35 ppm；（2）将步骤（1）制得的黑硅浸入表面处理腐蚀液中进行表面优化处理，即得亚微米结构的均匀绒面的硅片；其中，所述表面处理腐蚀液为含添加剂的混合酸水溶液；所述添加剂为流平剂；所述流平剂选自丙烯酸共聚物、氟改性丙烯酸共聚物、改性丙烯酸共聚物、聚醚改性聚二甲基矽氧烷、丙烯酸酯聚二甲基矽氧烷共聚物、聚二甲基矽氧烷的一种或几种的组合；所述添加剂的添加量为混合酸水溶液质量的1‑3%；所述添加剂的分子量为1200‑20000。