[发明专利]封装堆迭结构的制法有效
| 申请号： | 201610603368.6 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107622953B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邱士超;林俊贤;白裕呈;范植文;陈嘉成;何祈庆;洪祝宝;蔡瀛洲 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/498 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台湾台中*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种封装堆迭结构的制法，先提供一第一无核心层式封装基板，该第一无核心层式封装基板的一侧具有多个第一导电元件，而另一侧结合一承载板；接着，将该第一无核心层式封装基板以其第一导电元件结合至一第二无核心层式封装基板上，且该第二无核心层式封装基板上设有至少一电子元件；之后形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，再移除该承载板。藉由堆迭两无核心层式封装基板，以减少该封装堆迭结构的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制法 | ||
【主权项】：
1.一种封装堆迭结构的制法，其特征为，该制法包括：/n提供一第一无核心层式封装基板及一第二无核心层式封装基板，其中，该第二无核心层式封装基板的一侧设有至少一电子元件，且该第一无核心层式封装基板以第一绝缘层结合至一承载板；/n将该第一无核心层式封装基板以多个第一导电元件结合至该第二无核心层式封装基板设有该电子元件的一侧上，且该第一无核心层式封装基板相对于结合该第二无核心层式封装基板的另一侧结合有该承载板；以及/n形成封装层于该第一无核心层式封装基板与该第二无核心层式封装基板之间，以令该封装层包覆该多个第一导电元件与该电子元件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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