[发明专利]激光封装方法及激光封装装置有效
| 申请号： | 201610614574.7 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN107665826B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李牧野 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光封装方法及激光封装装置，通过调整光斑的轮廓分布和/或光斑能量分布以减少光斑沿非扫描向中心的积分剂量，使封装料沿非扫描向的温度分布满足均匀性要求；更重要的是，针对封装线中的特征区域，能够增大光斑尺寸以适应特征区的不同散热条件，使之适应各特征区的温度场条件需求。本发明提供的激光封装方法及激光封装装置，可以有效改善激光封装时在非扫描向温度分布不均匀的问题，甚至实现温度的均一化，增大了工艺窗口，从而提高激光封装的封装质量。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 封装 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光封装方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、针对封装料材料及封装参数设置初始的光斑轮廓分布及光斑能量分布，建立激光封装的传热模型；/n步骤2、对所述传热模型进行封装仿真，得到所述封装料沿非扫描向的温度分布；/n步骤3、判断所述封装料沿非扫描向的温度分布是否满足均匀性要求，是则执行步骤5，否则执行步骤4；/n步骤4、调整所述光斑的轮廓分布和/或以自定义函数调制所述光斑能量分布以减少光斑沿非扫描向中心的积分剂量，之后根据调制后的光斑轮廓分布和光斑能量分布建立激光封装的传热模型，返回步骤2；/n步骤5、在实际激光封装时，以当前的光斑轮廓分布及光斑能量分布适应性地调制所述激光。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
