[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 201610642590.7 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107025928B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/413 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种集成电路结构。一集成电路结构包括一静态随机存取记忆胞，其包括一读取端口与一写入端口。该写入端口包括一第一上拉金氧半导体装置与一第二上拉金氧半导体装置，及一第一下拉金氧半导体装置与一第二下拉金氧半导体装置，与该第一上拉金氧半导体装置及该第二上拉金氧半导体装置形成交错栓锁反相器。该集成电路结构还包括一第一金属层，具有位于该第一金属层内的一位元线、一第一CVdd导线与一第一CVss导线。一第二金属层是位于该第一金属层上。一写入字元线是位于该第二金属层内。一第三金属层是位于该第二金属层上。一读取字元线是位于该第三金属层内。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：一静态随机存取记忆胞，包括一读取端口与一写入端口，其中该写入端口包括：一第一上拉金氧半导体装置与一第二上拉金氧半导体装置；及一第一下拉金氧半导体装置与一第二下拉金氧半导体装置，与该第一上拉金氧半导体装置及该第二上拉金氧半导体装置形成交错栓锁反相器；一第一金属层，具有位于该第一金属层内的一位元线、一第一CVdd导线与一第一CVss导线；一第二金属层，位于该第一金属层上，其中一写入字元线是位于该第二金属层内；及一第三金属层，位于该第二金属层上，其中一读取字元线是位于该第三金属层内。
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