[发明专利]集成电路及其制造方法在审
| 申请号： | 201610654576.9 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107154341A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 赖文隆;蒋振劼;郑志成;张简旭珂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电路及其制造方法。集成电路包括晶体管、第一介电层、蚀刻停止层、第一通孔和第一导电层。第一介电层设置在晶体管和蚀刻停止层之间。第一通孔设置在第一介电层和蚀刻停止层中，并且电连接至晶体管。第一导电层与第一通孔接触，其中第一通孔设置在第一导电层和晶体管之间，并且蚀刻停止层位于部分第一通孔旁边并且与第一导电层相邻。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：晶体管；第一介电层和蚀刻停止层，其中，所述第一介电层设置在所述晶体管和所述蚀刻停止层之间；第一通孔，设置在所述第一介电层和所述蚀刻停止层中，并且电连接至所述晶体管；以及第一导电层，与所述第一通孔接触，其中，所述第一通孔设置在所述第一导电层和所述晶体管之间，并且所述蚀刻停止层位于部分所述第一通孔旁边并且与所述第一导电层相邻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
