[发明专利]半导体存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，包含半导体基材，具有有源区域及介于有源区域之间的沟渠绝缘区域。各有源区域沿着第一方向延伸。埋入字线，位在半导体基材中，沿着第二方向延伸。各有源区域与两条埋入字线相交，将各有源区域区分为三部位:一位线接触区及两个存储单元接触区。第二方向不垂直于第一方向。位线接触结构，直接设在位线接触区上。存储节点接触结构，直接设在各存储单元接触区上。位线接触结构与存储节点接触结构为共平面。位线，位在半导体基材的主表面上，沿着第三方向延伸。位线直接接触位线接触结构。

主权项

1.一种半导体存储器件，其包含：半导体基材，其上具有多个有源区域及介于所述多个有源区域之间的沟渠隔离区域，其中所述有源区域中的每一者具有长边和短边，其中所述长边沿着第一方向延伸；多条埋入字线，其位于所述半导体基材中沿着第二方向延伸，其中所述有源区域中的每一者与所述多条埋入字线中的两条埋入字线相交，将所述有源区域中的每一者分为包括以下各者的三个部分：位线接触区及两个单元接触区，其中所述第二方向不垂直于所述第一方向；位线接触，其直接设在所述位线接触区上；存储节点接触，其直接设在所述两个单元接触区中的每一者上，其中所述位线接触与所述存储节点接触是共平面的；以及至少一个位线，其在所述半导体基材的主表面上沿着第三方向延伸，其中所述至少一个位线直接接触所述位线接触。