[发明专利]一种曲面上精密薄膜电路制作方法有效

专利信息
申请号: 201610669817.7 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN106206402B 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 王列松;薛新忠;高永全;朱小明 申请(专利权)人: 苏州华博电子科技有限公司
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L21/3205;H01L21/312
代理公司: 无锡中瑞知识产权代理有限公司32259 代理人: 王尉
地址: 215600 江苏省苏州市张家港市经济开*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。
搜索关键词: 一种 曲面 精密 薄膜 电路 制作方法
【主权项】:
一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤:a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。
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