[发明专利]一种曲面上精密薄膜电路制作方法有效
申请号: | 201610669817.7 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN106206402B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 王列松;薛新忠;高永全;朱小明 | 申请(专利权)人: | 苏州华博电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/3205;H01L21/312 |
代理公司: | 无锡中瑞知识产权代理有限公司32259 | 代理人: | 王尉 |
地址: | 215600 江苏省苏州市张家港市经济开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 曲面 精密 薄膜 电路 制作方法 | ||
【主权项】:
一种曲面上精密薄膜电路制作方法,包括以下步骤:a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层;b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜;c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层;d)脱附烷烃硫醇分子掩膜;e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu,形成Cr掩膜;f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金;g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层,形成所需薄膜电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造