[发明专利]制作晶圆级封装的方法有效
| 申请号： | 201610693182.4 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107104053B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作晶圆级封装的方法。先提供一载板，再于载板上形成一重分布层，再于重分布层上设置半导体晶粒，将半导体晶粒模塑在一模塑料中，构成一模塑晶圆，接着进行一抛光工艺，抛光去除模塑料一中央部分，形成一凹陷区域及一外围周边环形部分，再去除载板，暴露出重分布层一底面，再于重分布层的底面上形成凸块或锡球。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作晶圆级封装的方法，其包含：提供一载板；于所述载板上形成一重分布层(RDL)；于所述重分布层上设置半导体晶粒；使用模塑料模塑所述半导体晶粒和所述重分布层的上表面，以构成一模塑晶圆；向所述模塑晶圆施加一抛光工艺，从所述模塑晶圆仅去除所述模塑料的一中央部分，以在所述模塑料的经去除的所述中央部分的原处形成一凹陷区域以及环绕所述凹陷区域的一外围周边环形部分，其中所述外围周边环形部分比所述中央部分厚；在此之后，移除所述载板，暴露出所述重分布层的一底面；于所述重分布层的所述底面上形成凸块或锡球；以及在此之后，执行切割工艺以将所述外围周边环形部分从所述模塑晶圆上分离出来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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