[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 201610703497.2 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN107516541B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 鎌田义彦;出口阳子;児玉择洋;小林司;酒向万里生;柳平康辅 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式提供一种能够提高可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括第1存储单元(MT)、连接于第1存储单元的第1位线(BL)、及连接于第1位线(BL)的第1读出放大器(SAU)。第1读出放大器(SAU)包含:第1节点(SEN),根据第1存储单元(MT)的数据向第1位线(BL)传输电荷;第1电容元件(27),连接于第1节点(SEN);及第1静态锁存电路(SCU),连接于第1节点(SEN),保存第1节点的数据。
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【主权项】:
一种半导体存储装置,其特征在于包括:第1存储单元;第1位线,连接于所述第1存储单元;及第1读出放大器,连接于所述第1位线;且所述第1读出放大器包含:第1节点,根据所述第1存储单元的数据向所述第1位线传输电荷;第1电容元件,连接于所述第1节点;及第1静态锁存电路,连接于所述第1节点,保存所述第1节点的数据。
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