[发明专利]FinFET器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610705755.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106711216A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 邓桔程;陈臆仁;曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FinFET器件及其形成方法。FinFET器件包括衬底、多个栅极和单一间隔壁。衬底提供有在第一方向上延伸的多个鳍。横跨鳍分别地提供了在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个栅极。两个邻近的栅极端对端的布置。在第一方向上延伸的单一间隔壁位于邻近栅极的面向端之间且与邻近栅极的每个的栅极介电材料物理接触。本发明实施例涉及FinFET器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种FinFET器件，包括：衬底，具有在第一方向上延伸的至少一个第一鳍和至少一个第二鳍；第一栅极，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸且横跨所述至少一个第一鳍，第二栅极，在所述第二方向上延伸且横跨所述至少一个第二鳍，其中，所述第一栅极和所述第二栅极的端面向彼此；以及在所述第一方向上延伸的单一间隔壁，位于所述第一栅极和所述第二栅极的所述端之间且与所述第一栅极和所述第二栅极的每个的栅极介电材料物理接触。
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