[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201610707220.7 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106711217B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 廖晋毅;张世杰;黄俊儒;李健玮;吴启明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上，位于鳍之间的每个隔离件包括凹槽轮廓。栅极堆叠件设置在鳍的部分上方和隔离件上方。应变材料部分覆盖由栅极堆叠件暴露的鳍。此外，提供了一种用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：衬底，在所述衬底上具有至少两个鳍；多个隔离件，设置在所述衬底上，位于所述鳍之间的每个所述隔离件包括凹槽轮廓；栅极堆叠件，设置在所述鳍的部分上方和所述隔离件上方；以及应变材料部分，覆盖由所述栅极堆叠件暴露的所述鳍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610707220.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：FinFET器件及其形成方法
- 下一篇：场效应晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
