[发明专利]量子点电致发光器件有效
| 申请号： | 201610709976.5 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107768526B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杜勇;甄常刮 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;梁文惠 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种量子点电致发光器件。该器件包括基板；像素限制结构，设置在基板上，相邻的像素限制结构之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构，设置在子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构和第二量子点电致发光层结构；量子点光致发光层，设置在第一量子点电致发光层结构的远离基板的表面上，量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层，设置在第二量子点电致发光层结构的远离基板的表面上、量子点光致发光层的远离基板的表面上以及像素限制结构的远离基板的表面上，耦合匹配层的折射率大于量子点电致发光层结构和量子点光致发光层中含有量子点的层结构的折射率。耦合匹配层破坏基板与空气界面的全反射，解决了色坐标漂移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 电致发光 器件 | ||
【主权项】：
一种量子点电致发光器件，包括：基板(10)；像素限制结构(20)，设置在所述基板(10)上，相邻的所述像素限制结构(20)之间具有子像素区域；量子点电致发光层结构(30)，设置在所述子像素区域中，包括第一量子点电致发光层结构(31)和第二量子点电致发光层结构(32)；量子点光致发光层(40)，设置在所述第一量子点电致发光层结构(31)的远离所述基板(10)的表面上，其特征在于，所述量子点电致发光器件还包括：耦合匹配层(50)，设置在所述第二量子点电致发光层结构(32)的远离所述基板(10)的表面上、所述量子点光致发光层(40)的远离所述基板(10)的表面上以及所述像素限制结构(20)的远离所述基板(10)的表面上，所述耦合匹配层(50)的折射率大于所述量子点电致发光层结构和所述量子点光致发光层(40)中含有量子点的层结构的折射率。
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