[发明专利]存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 201610712689.X | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107025929B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法。静态随机存取存储器阵列包括第一、第二SRAM迷你阵列以及一SRAM冗余阵列。第一SRAM迷你阵列包括位于SRAM阵列的第一列中的第一多功能性SRAM单元，第一多功能性SRAM单元的每一个是共用第一位元线。第二SRAM迷你阵列包括位于上述第一列中的第二多功能性SRAM单元，第二多功能性SRAM单元的每一个是共用第二位元线，第一、第二位元线是分别独立受到控制。SRAM冗余阵列是介于第一、第二SRAM迷你阵列之间，SRAM冗余阵列包括位于上述第一列中的多个SRAM阵列邻接冗余单元，第一位元线的第一终端与第二位元线的第二终端是设置于SRAM冗余阵列中。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 静态 随机存取存储器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器阵列，其特征在于，包括：一第一静态随机存取存储器迷你阵列，包括位于上述静态随机存取存储器阵列的一第一列中的一第一多功能性静态随机存取存储器单元，其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第一位元线；一第二静态随机存取存储器迷你阵列，包括位于上述第一列中的一第二多功能性静态随机存取存储器单元，其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第二位元线，上述第一位元线以及上述第二位元线是分别独立受到控制；以及一静态随机存取存储器冗余阵列，介于上述第一静态随机存取存储器迷你阵列以及上述第二静态随机存取存储器迷你阵列之间，其中静态随机存取存储器冗余阵列包括位于上述第一列中的多个静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元，上述第一位元线的一第一终端以及上述第二位元线的一第二终端是设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。
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