[发明专利]一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法有效
| 申请号： | 201610719183.1 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107782709B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;彭海琳;孙禄钊;林立 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同位素 脉冲 标定 石墨 生长 速度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种标定石墨烯生长速度的方法，包括如下步骤：1)将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其特征在于：所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体；在所述步骤1)之后，还包括如下步骤2)：2)对所得石墨烯中13C的空间分布进行检测和统计，并与脉冲的通入时间对应，得到所述石墨烯的生长速度；所述13C碳源气体的流量占所述12C碳源气体和13C碳源气体总流量的5％‑50％；脉冲持续的时间为3s–3min。
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