[发明专利]鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610719830.9 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106601814B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括半导体衬底和半导体衬底上的半导体鳍，其中半导体鳍具有由两个单元共享的共同边界处的鳍隔离结构。鳍隔离结构具有从半导体鳍的顶部延伸至半导体衬底的部分的气隙。气隙将半导体鳍分为半导体鳍的两个部分。鳍隔离结构包括覆盖气隙的顶部的介电覆盖层。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管隔离结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体鳍，位于所述半导体衬底上；以及彼此相邻的两个单元，位于所述半导体鳍上，所述半导体鳍具有由所述两个单元共享的共同边界处的鳍隔离结构，所述鳍隔离结构具有从所述半导体鳍的顶部延伸至所述半导体衬底的部分的气隙，其中，所述气隙将所述半导体鳍分为所述半导体鳍的两个部分，所述鳍隔离结构包括覆盖所述气隙的顶部的介电覆盖层。
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