[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610721246.7 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107785259B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述鳍片上的若干栅极结构，在所述栅极结构上还形成有包围所述栅极结构的间隙壁层，所述半导体衬底上还形成有隔离材料层，所述隔离材料层部分地覆盖所述间隙壁层，以露出所述间隙壁层的顶部；在所述间隙壁层的侧壁上形成保护层，以覆盖所述间隙壁层的侧壁；在所述隔离材料层上和所述间隙壁层上形成介电层，以覆盖所述隔离材料层和所述间隙壁层；图案化所述介电层，以形成开口，露出所述保护层；以所述保护层为掩膜蚀刻所述介电层，在相邻的所述栅极结构之间形成接触孔开口。所述方法增大了自对准接触孔的蚀刻工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干鳍片以及位于所述鳍片上的若干栅极结构，在所述栅极结构上还形成有包围所述栅极结构的间隙壁层，所述半导体衬底上还形成有隔离材料层，所述隔离材料层部分地覆盖所述间隙壁层，以露出所述间隙壁层的顶部；在所述间隙壁层的侧壁上形成保护层，以覆盖所述间隙壁层的侧壁；在所述隔离材料层上和所述间隙壁层上形成介电层，以覆盖所述隔离材料层和所述间隙壁层；图案化所述介电层，以形成开口，露出所述保护层；以所述保护层为掩膜蚀刻所述介电层，以在相邻的所述栅极结构之间形成接触孔开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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