[发明专利]一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法

摘要

一种水平电极倒装红光LED芯片及其制备方法，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明方法无需在ODR介质层内开孔，而是利用整面ODR介质层与键合层形成ODR全方位反射镜，使P面保证较高的反射水平；通过湿法腐蚀从N面刻蚀至P‑GaP层，在P‑GaP电流扩展层上淀积金属，光刻实现P‑Pad中心电极的制作，最后形成水平电极结构的AlGaInP倒装红光芯片。本发明工艺简单、合理，可使RGB混合应用端封装成本较低。

主权项

一种水平电极倒装红光LED芯片的制备方法，所述水平电极倒装红光LED芯片包括衬底、键合层，在键合层上依次设置ODR介质层和P‑GaP电流扩展层，在一小部分P‑GaP电流扩展层上设置P面P‑Finger扩展电极和P‑Pad 中心电极，在大部分P‑GaP电流扩展层上依次设置P‑Space限制层、MQW有源区、N‑Space限制层和N‑AlGaInP粗化层；在部分N‑AlGaInP粗化层上设置N‑GaAs欧姆接触层，在N‑GaAs欧姆接触层上设置N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极；其特征在于包括以下步骤：1）采用MOCVD方法，在一临时衬底的同一侧依次生长N‑Ga0.5In0.5P腐蚀停层、N‑GaAs欧姆接触层、N‑AlGaInP粗化层、N‑Space限制层、MQW有源区、P‑Space限制层和P‑GaP电流扩展层，取得外延片；2）在外延片的P‑GaP电流扩展层上依次淀积ODR介质层和键合层；3）在转移衬底的一侧蒸镀键合层，通过键合层，将外延片的P‑GaP电流扩展层和转移衬底键合在一起，取得键合后的半制品；4）去除键合后的半制品的临时衬底后，再去除N‑Ga0.5In0.5P腐蚀停止层，直至暴露出N‑GaAs欧姆接触层；5）在N‑GaAs欧姆接触层上制作金属层，经光刻、剥离形成N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极；6）去除N面N‑Finger扩展电极和N‑Pad 中心电极区域以外的N‑GaAs欧姆接触层，直至暴露出N‑AlGaInP粗化层；光刻后，自暴露的N‑AlGaInP粗化层表面向下湿法腐蚀，直至暴露出P‑GaP电流扩展层；7）在P‑GaP电流扩展层上制作金属层，光刻后，经剥离形成P面P‑Finger扩展电极和P‑Pad 中心电极；8）在P面蚀刻沟道内沉积SiN层，对PN结侧壁钝化处理；9）对N‑AlGaInP粗化层进行粗化处理；10）退火、激光划片、劈裂。