[发明专利]半导体器件结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610729667.4 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106887455B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 方琮闵;王智麟;郭康民 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域、和第二漏极区域的衬底。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第一源极区域和第一漏极区域之间的第一栅极结构。半导体器件结构包括位于衬底上方并且介于第二源极区域和第二漏极区域之间的第二栅极结构。第一栅极结构的第一厚度大于第二栅极结构的第二厚度。第一栅极结构的第一栅极宽度小于第二栅极结构的第二栅极宽度。本发明的实施例还提供了半导体器件结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底，所述衬底具有第一源极区域、第二源极区域、第一漏极区域和第二漏极区；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底上方并且介于所述第一源极区域和所述第一漏极区域之间；以及第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底上方并且介于所述第二源极区域和所述第二漏极区域之间，其中，所述第一栅极结构的第一厚度大于所述第二栅极结构的第二厚度，并且所述第一栅极结构的第一栅极宽度小于所述第二栅极结构的第二栅极宽度。
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