[发明专利]与RRAM工艺相兼容的串联MIM结构

摘要

本发明的实施例涉及形成防止对MIM去耦电容器的损坏的集成电路的方法和相关的结构。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方的下部ILD层内形成一个或多个下部金属互连结构。多个MIM结构形成在下部金属互连结构上方，并且一个或多个上部金属互连结构形成在多个MIM结构上方的上部ILD层内。下部和上部金属互连结构一起电耦合在第一电压电位和第二电压电位之间串联连接的多个MIM结构。通过放置串联连接的多个MIM结构，第一电压电位(如，电源电压)的耗散在MIM结构上方扩散出去，从而减小在MIM结构的任何一个的电极之间的电压电位差。本发明的实施例还提供了与RRAM工艺相兼容的串联MIM结构。

主权项

一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底上方的介电层内形成一个或多个下部金属互连结构；在所述一个或多个下部金属互连结构上方形成多个MIM(金属‑绝缘体‑金属)结构；以及在所述多个金属‑绝缘体‑金属结构上方形成一个或多个上部金属互连结构，其中，所述一个或多个下部金属互连结构或所述一个或多个上部金属互连结构电耦合串联连接的所述多个金属‑绝缘体‑金属结构。