[发明专利]对基底进行离子注入的方法有效
| 申请号： | 201610762277.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107785246B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 黄永发;白源吉 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司;联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种对基底进行离子注入的方法，首先，提供一基底，接着形成一材料层于该基底上，其中该材料层的厚度介于100埃至200埃之间，然后形成一图案化光致抗蚀剂层于该材料层上，以及对该基底进行一离子注入步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 进行 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种对基底进行离子注入的方法，包含：提供一基底；形成一材料层于该基底上，其中该材料层的厚度介于100埃至200埃之间；形成一图案化光致抗蚀剂层于该材料层上；以及对该基底进行一离子注入步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
