[发明专利]高压半导体器件在审
| 申请号： | 201610768991.7 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653849A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 卡西克·穆如克桑;邱奕正;林宏洲;詹智元;陈益民;张震谦;钟久华;杨富智;蔡俊琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括晶体管、隔离组件和导电层。晶体管包括源极区域和漏极区域。隔离组件围绕源极区域。导电层被配置为用于漏极区域的互连。导电组件介于导电层与隔离组件之间，被配置为为了隔离组件而屏蔽隔离组件上方的电场。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管，包括：源极区域；和漏极区域；隔离组件，围绕所述源极区域；导电层，被配置为用于所述漏极区域的互连；以及导电组件，介于所述导电层与所述隔离组件之间，被配置为为了所述隔离组件而屏蔽所述隔离组件上方的电场。
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