[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610788845.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785425B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述鳍部中形成阻挡层，所述阻挡层中具有阻挡离子；形成所述阻挡层后，在所述鳍部中形成防穿通层，所述阻挡层的顶部表面高于或齐平于防穿通层的顶部表面，所述防穿通层中具有防穿通离子，所述防穿通离子的导电类型和所述阻挡离子的导电类型相反；形成所述防穿通层后，进行退火处理。所述方法能够提高半导体器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；在所述鳍部中形成阻挡层，所述阻挡层中具有阻挡离子；形成所述阻挡层后，在所述鳍部中形成防穿通层，所述阻挡层的顶部表面高于或齐平于所述防穿通层的顶部表面，所述防穿通层中具有防穿通离子，所述防穿通离子的导电类型和所述阻挡离子的导电类型相反；形成所述防穿通层后，进行退火处理。
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