[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610791989.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107154400B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 尹明星;徐一石 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：在管栅之上交替地层叠的层间绝缘层和导电图案；第一狭缝和第二狭缝，贯穿层间绝缘层和导电图案并且彼此交叉；刻蚀停止焊盘槽，与第一狭缝和第二狭缝的相交部分交叠，布置在管栅中，并连接至第一狭缝或第二狭缝；以及狭缝绝缘层，填充第一狭缝、第二狭缝和刻蚀停止焊盘槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和所述导电图案在管栅之上交替地层叠；第一狭缝和第二狭缝，所述第一狭缝和第二狭缝贯穿所述层间绝缘层和所述导电图案，并且彼此交叉；刻蚀停止焊盘槽，与所述第一狭缝和所述第二狭缝的相交部分交叠，布置在所述管栅中，并连接至所述第一狭缝或所述第二狭缝；以及狭缝绝缘层，填充所述第一狭缝、所述第二狭缝以及所述刻蚀停止焊盘槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
