[发明专利]一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺有效
| 申请号： | 201610797372.0 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106340567B | 公开（公告）日： | 2017-12-08 |
| 发明（设计）人： | 董方;张向斌;宋飞飞 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/223 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 322118 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺，用于单晶电池片的扩散处理工序，包括下列步骤步骤一.单晶电池片低温沉积此步骤中采用相对低沉积步温度及相对低浓度的POCL3，沉积温度748‑752℃，沉积时间9min‑11min；步骤二.二步沉积升温至800℃‑810℃，进行相对高浓度的POCL3二步沉积，沉积保持3min‑4min，再升温至850℃‑870℃，保持10min‑16min高温推进；步骤三.三步降温吸杂出炉按810℃→800℃→750℃三个阶段逐步降温，每个阶段分别用400s降温通氧氧化，氧气流量为4000sccm；步骤四.对扩散完成的单晶电池片进行方阻测试。本发明采用低温扩散+分步升温推进的扩散方案，可减少单晶电池片表面死层，提高少子寿命，改善方阻均匀性，从而提升Uoc，提高光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 太阳能电池 提升 两步通源 工艺 | ||
【主权项】：
一种应用于太阳能电池提升开压的两步通源工艺，用于单晶电池片的扩散处理工序，其特征是包括下列步骤：步骤一.单晶电池片低温沉积：此步骤中采用相对低的沉积步温度及相对低浓度的POCL3，POCL3流量为900‑1000sccm，沉积温度748‑752℃，沉积时间9min‑11min；步骤二.二步沉积：升温至800℃‑810℃，进行相对高浓度的POCL3二步沉积，POCL3流量为1600‑1700sccm，沉积保持3min‑4min，再升温至850℃‑870℃，保持10min‑16min高温推进；步骤三.三步降温吸杂出炉：按810℃→800℃→750℃三个阶段逐步降温，每个阶段分别用400s降温通氧氧化，氧气流量为4000sccm；步骤四.对扩散完成的单晶电池片进行方阻测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
