[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610802666.8 | 申请日： | 2016-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN107895723A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 常荣耀;王彦;张翼英;宋洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括下述步骤提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的栅极叠层和位于所述栅极叠层之上的硬掩膜层，在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述栅极叠层之间的间隙填充牺牲介电层；在所述牺牲介电层中形成源极接触孔和漏极接触孔；以导电材料填充所述源极接触孔和漏极接触孔，以形成源极接触和漏极接触；其中，所述牺牲介电层相对所述间隙壁具有高选择性。该制作方法可以防止NOR存储器中CCT制作中的氮化硅损失，提高器件良率和性能。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有图形化的栅极叠层和位于所述栅极叠层之上的硬掩膜层，在所述栅极叠层的侧壁上形成间隙壁，在所述栅极叠层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；在所述栅极叠层之间的间隙填充牺牲介电层；在所述牺牲介电层中形成源极接触孔和漏极接触孔；以导电材料填充所述源极接触孔和漏极接触孔，以形成源极接触和漏极接触；其中，所述牺牲介电层相对所述间隙壁具有高选择性。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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