[发明专利]III族氮化物半导体发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610812839.4 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN106887503B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 户谷真悟;五所野尾浩一 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于在发出白色光的发光装置中提高光提取效率的III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。发光装置(1)具有：基板(110)、基板上的半导体层、半导体层上的透明导电氧化物(TE1)、覆盖半导体层和透明导电氧化物的至少一部分的介电膜(F1)以及介电膜(F1)上的荧光体树脂(200)。透明导电氧化物的折射率大于荧光体树脂的折射率。荧光体树脂的折射率大于介电膜(F1)的折射率。发光装置具有：荧光体树脂在开口部(W1)直接接触透明导电氧化物上而配置的第一区域(R1)和介电膜(F1)配置在透明导电氧化物上且荧光体树脂配置在介电膜(F1)上的第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体发光装置，发出白色光，该III族氮化物半导体发光装置的特征在于，具有：基板；上述基板上的半导体层；上述半导体层上的透明导电氧化物；覆盖上述半导体层和上述透明导电氧化物的至少一部分的介电膜；以及上述介电膜上的荧光体树脂，上述透明导电氧化物的折射率大于上述荧光体树脂的折射率，上述荧光体树脂的折射率大于上述介电膜的折射率，上述介电膜具有使上述透明导电氧化物的一部分露出的开口部，上述III族氮化物半导体发光装置具有：上述荧光体树脂在上述开口部直接接触上述透明导电氧化物上而配置的第一区域；和上述介电膜被配置在上述透明导电氧化物上且上述荧光体树脂被配置在上述介电膜上的第二区域，上述III族氮化物半导体发光装置还具有在上述透明导电氧化物上形成的p接触电极和p布线电极，上述p接触电极和上述p布线电极被上述介电膜覆盖，上述介电膜的从上述p接触电极的端部到上述开口部的距离大于从上述透明导电氧化物起的上述p布线电极的高度。
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