[发明专利]有源区域结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 201610817060.1 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN107818980B | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 黄财煜 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种有源区域结构以及其形成方法。该有源区域结构，包含元件区域、有源层以及浅沟槽绝缘层。元件区域是定义在一基底上。有源层是由该基底的顶部所构成，具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域，且在该多个元件单元的其中一部分之间。浅沟槽绝缘层具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘，以及第二部件围绕该边界结构的外周围。该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与周边有源区域隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 区域 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源区域结构，包含:元件区域，定义在一基底上；有源层，是由该基底的顶部所构成，具有多个元件单元在该元件区域内，以及边界结构围绕该元件区域，其中该边界结构具有至少一个分枝向内延伸入该元件区域，且在该多个元件单元的其中一部分之间；以及浅沟槽绝缘层，具有第一部件形成于该边界结构内以使该多个元件单元之间绝缘，以及第二部件围绕该边界结构的外周围，其中该浅沟槽绝缘层的该第二部件将该多个元件单元与用于形成周边电路的周边有源区域隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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