[发明专利]一种WO3包覆TZO粉体的制备及其烧结方法

摘要

一种TZO‑WO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备WO3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂，得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at％)的WO3粉末掺杂，就可制备出致密度99％，强度大于118MPa，电阻率小于5×10‑3Ω·cm的掺杂TZO靶材，这种掺杂TZO靶材，可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO薄膜是一种被广泛研究的功能材料。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势，在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用，是新一代透明导电膜，最有可能替代昂贵的ITO，在薄膜太阳能电池和low‑E·玻璃等领域，正显示出巨大的应用前景和市场。

主权项

一种新的方法制备WO3包覆TZO(氧化锌钛)粉体，其特征是用偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40·xH2O)溶于水的特性，将TZO粉体在偏钨酸铵水溶液中湿磨，干燥后在TZO粉体表面形成分散均匀的偏钨酸铵包覆层，然后通过偏钨酸铵在400‑600℃下的热解在TZO表面形成分散均匀的的WO3包覆层，从而制备出WO3包覆TZO粉体，实现WO3的均匀掺杂。