[发明专利]光学电子设备及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610836283.2 申请日: 2016-08-30
公开(公告)号: CN107154360A 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: E·索吉尔 申请(专利权)人: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/16;H01L23/48;H01L25/04
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 王茂华,张昊
地址: 法国格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及光学电子设备及其制造方法。其中电子设备由包括光学元件的主晶圆和副晶圆聚合制成,它们中的一个安装在另一个顶部以用来构成组合晶圆。以副晶圆的安装表面中的凹部在光学元件上方对齐的方式,副晶圆的安装表面匹配至主晶圆的正面。减小副晶圆的厚度直至展现出凹部,用来在凹部处形成具有开口的环形结构。切割组合晶圆用来形成电子设备。主晶圆的基底晶圆和副晶圆由相同的半导体材料制成(例如,硅)。
搜索关键词: 光学 电子设备 及其 制造 方法
【主权项】:
一种用于由主晶圆和副晶圆聚合制造电子器件的方法,所述主晶圆包括多个第一位置并且具有正面,并且其包含具有位于顶部表面上并且分别位于所述第一位置内的多个光学元件的基底晶圆,所述副晶圆包括多个第二位置并且在安装表面具有分别形成在所述第二位置内的凹部,其中所述第一位置与所述第二位置相对应,该方法包含:将所述主晶圆和所述副晶圆中的一个安装在另一个顶部,以所述凹部位于所述光学元件之上的方式,所述副晶圆的安装表面匹配至所述主晶圆的正面;从与所述安装表面相对的面开始,减小所述副晶圆的厚度,至少直到展现出所述凹部,使得所述副晶圆的剩余部分呈网格的形式并且限定出在光学元件之上延伸的多个贯穿通道;以及沿所述第一位置和所述第二位置的边缘,贯穿所述主晶圆和所述副晶圆的剩余部分进行切割。
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