[发明专利]形成栅极的方法和FINFET在审
| 申请号： | 201610845869.5 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107039258A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 萧宇廷;吴政达;谭伦光;严亮宇;王廷君;吴宗翰;游伟明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了形成栅极的方法包括形成伪栅极；横向邻近伪栅极形成层间电介质(ILD)；将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中，其中，伪栅极的表面掺杂剂浓度低于ILD的表面掺杂剂浓度；在将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中之后，去除伪栅极以形成腔体；以及在腔体中形成栅极。本发明还提供了鳍式场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 栅极 方法 finfet | ||
【主权项】：
一种形成栅极的方法，包括：形成伪栅极；横向邻近所述伪栅极形成层间电介质(ILD)；将掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中，其中，所述伪栅极的表面掺杂剂浓度低于所述层间电介质的表面掺杂剂浓度；在将所述掺杂剂掺杂到所述伪栅极和所述层间电介质中之后，去除所述伪栅极以形成腔体；以及在所述腔体中形成所述栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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