[发明专利]电导体、一维-二维混杂结构体、和包括其的电子器件有效
| 申请号： | 201610851418.2 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107039101B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 金世润;卢钟旭;李钟敏;丁度源;黄成宇;郭灿;黄珍荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00;H01B5/14;H01B1/02;H01B1/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开电导体、一维‑二维混杂结构体、和包括其的电子器件。所述电导体包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在第一导电层的表面上的第二导电层，其中第二导电层包括多个金属氧化物纳米片；其中在第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片；和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 导体 二维 混杂 结构 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
电导体，其包括：包括多个金属纳米线的第一导电层；和设置在所述第一导电层的表面上的第二导电层，其中所述第二导电层包括多个金属氧化物纳米片，其中在所述第一导电层中的所述多个金属纳米线的金属纳米线接触所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片，和其中所述多个金属氧化物纳米片的至少两个金属氧化物纳米片彼此接触以提供电连接。
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