[发明专利]与工作范围相关的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201610851419.7 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN107293326B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 郑会三 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件可以包括非易失性存储单元和感测电路。该感测电路耦接到该非易失性存储单元的位线。该感测电路可以使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管。所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。 | ||
| 搜索关键词： | 工作范围 相关 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储NVM器件，包括：非易失性存储单元；以及感测电路，耦接到所述非易失性存储单元的位线，其中，所述感测电路使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管，以及其中，所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。
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