[发明专利]一种去气腔室和半导体处理装置有效
申请号: | 201610854013.4 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN107871681B | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 贾强;丁培军;赵梦欣;王厚工 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;罗瑞芝 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种去气腔室和半导体处理装置。该去气腔室包括腔体和片盒,腔体的侧壁上开设有传片口;片盒在腔体内可沿竖直方向移动,还包括设置在腔体内的加热组件,加热组件包括第一光源件和第二光源件,腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体;第一光源件位于第一腔体内,第二光源件位于第二腔体内;第一光源件和第二光源件用于对片盒内的待去气基片进行均衡加热。该去气腔室通过设置加热组件,能使放置于片盒中的待去气基片都能受到均衡加热,从而确保了待去气基片在去气工艺和取放片过程中的工艺温度均衡,进而不仅提高了待去气基片的去气工艺质量,而且为后续工艺过程提供了更加洁净的基片。 | ||
搜索关键词: | 一种 去气腔室 半导体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种去气腔室,包括腔体和片盒,所述腔体的侧壁上开设有传片口,所述传片口用于使待去气基片传入或传出所述腔体;所述片盒在所述腔体内可沿竖直方向移动,其特征在于,还包括设置在所述腔体内的加热组件,所述加热组件包括第一光源件和第二光源件,所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体;所述第一光源件位于所述第一腔体内,所述第二光源件位于所述第二腔体内;所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述待去气基片进行均衡加热;所述加热组件还包括第一反光筒和第二反光筒,所述第一反光筒位于所述第一腔体和所述第一光源件之间;所述第二反光筒位于所述第二腔体和所述第二光源件之间;所述第一反光筒和所述第二反光筒用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述待去气基片反射;并且,所述第一反光筒和所述第二反光筒对接形成一体,且在对应所述传片口的位置设有第一开口,所述第一开口能使所述待去气基片通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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